Multi-Level Cell:業界成功研發可應用於 3D NAND 的 X4 技術

Multi-Level Cell:業界成功研發可應用於 3D NAND 的 X4 技術

Multi-Level Cell:業界成功研發可應用於 3D NAND 的 X4 技術

隨著快閃儲存愈來愈成熟,價格亦較以往相宜得多,未知大家公司之中是否已擁有全快閃儲存陣列呢?提到全快閃,近日有廠商亦針對快閃開發出適用於 64 層 3D NAND (BiCS3) 的 X4 (每單元 4 位元) 快閃記憶體架構技術。

憑藉之前開拓的 X4 2D NAND 技術,Western Digital 再次成功研發適用於 3D NAND 的 X4 架構技術。這前進的邁步包括矽晶片加工和其相關設備工程以達到每個記憶體單元保存 4 位元的資訊 (16 種訊息狀態),以及快閃記憶體管理系統的專業技術。此外,在 BiCS3 採用 X4 架構的創新技術能提供與 BiCS3 X3 相當的效能。縮少 X4 與 X3 架構的效能差距,有助於在未來幾年提高市場對 X4 架構技術的接受程度。

BiCS3 X4 技術能在單一晶片上提供 768Gb (gigabits) 儲存容量,與採用 X3 (每單元 3 位元) 技術的 512GB 晶片相比,提高了 50% 的容量。

而廠商更期望能將 3D NAND X4 技術商品化並應用到各種能充分利用 X4 更高容量優勢的終端產品,並預計未來的 3D NAND 技術,包括 96 層 BiCS4 在內,將具備 X4 性能。

 

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